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011微米内存时代到来

发布时间:2019-04-11 02:32:19 编辑:笔名

台湾DRAM生产商南亚科技(Nanya Technology)的副总裁 Moor Chen表示他们将在原计划之前通过它的两条8-inch fabs把0.11微米技术投入量产。

南亚原定于2004年的季度将0伺服电缆
.11微米技术用于量产,但后来决定把时间提前到2003年的第四季度。

南亚目前在它的8-inch fabs中使用0.14微米生产工艺,并计划今年年底生产2亿颗芯片。

一月份,南亚声称将于今年年底与Infineon Technologies一同开始0.11微米生产工艺的生产幽诺女神
,并期望到2005第三季度能达到50,000个晶片的产量浮筒泵
。另外,南亚计划于2004年下半年于其12-inch fab上开始90纳米工艺的量产。

Moor Chen表示目前仍未决定是否在南亚的两条 8-inch fabs中采用90纳米生产工艺。南亚8-inch fabs的目标市场是1T SRAM 和LCD 驱动IC,而12-inch fab的目标是DRAM市场。